日前，由中科院苏州纳米所联合主办的第608次香山科学会议在苏州举办，来自国内外的40多位专家学者与会。本次大会的主题为“化合物半导体器件的异质构建与界面调控”，中科院院士李树深、黄如、中科院苏州纳米所所长杨辉、香港大学教授谢茂海兼任本次大会的执行主席。半导体与集成电路在人类社会各领域的应用于更加普遍，也更加最重要。经历半个多世纪的发展，硅集成电路日前的器件尺度与集成度已相似现有技术的无限大。

中科院苏州纳米所王永疆博士讲解，随着硅集成电路的高度发展，III－V族化合物（主要还包括镓简化砷、磷化铟和氮化镓）半导体材料与器件的研发和应用于更加受到普遍注目，早已沦为半导体产业的另外一个支柱。硅半导体与化合物半导体的融合是未来信息发展领域的一个必然趋势。“异质构建与界面调控是该领域的关键共性难题，其背后深层次的科学问题在于表面／界面的本征性质、量子效应及原子操纵等。

利用全新的真空网络技术，可以从本质上了解纳米材料与器件中的量子效应，展开表格、界面准确调控，构建新型半导体材料与器件的创意”，王永疆说道。纳米真空网络综合实验站是一个用作材料生长、器件加工、测试分析的原始系统。所有样品均可在超高真空环境中精确、较慢、稳定地展开传输。

《中国科学报》记者了解到，目前中科院苏州纳米所正在建设全世界规模仅次于、功能屈指可数，集材料生长、测试分析、器件工艺于一体的纳米真空网络实验大装置，竣工后将对发展新一代纳米电子与器件研究有最重要促进作用。目前，这个纳米真空网络实验大装置一期建设进展成功，部分设备早已网络，在欧姆认识、能带工程数据库等方面的研究获得可行性进展，最终目标是竣工总长大约500米的超高真空管道，构建上百台仪器设备的网络。会议期间，参会专家还就未来纳米光电器件研究、硅基化合物半导体材料与器件构建研究、新型二维材料研究及器件探寻等议题展开了了解研讨。

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